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【开阳热门商务模特】三星HBM3E芯片部分版本未通過英偉達審核
时间:2010-12-5 17:23:32 作者:阿爾及爾外圍 来源:武漢外圍 查看: 评论:0
内容摘要:
三星電子與英偉達有望簽署供應8層HBM3E存儲芯片的協議,並計劃在第四季度開始供貨,然而12層版本尚未通過英偉達的測試。 三星電子和英偉達尚未就8層HBM3E存儲芯片簽署供應協議,但很快就會簽署,預 开阳热门商务模特
三星電子和英偉達尚未就8層HBM3E存儲芯片簽署供應協議